TSMC започва 3 nm конструкция на Fab



TSMC has been very aggressive with its approach to silicon manufacturing, with more investments into its R&D that now match or beat the capex investments of Intel. That indicates a strong demand for new technologies and TSMC's strong will not drop out of the never-ending race for more performance and smaller node sizes.

Според източниците на DigiTimes, TSMC е придобил 30 хектара земя в научния парк в Южен Тайван, за да започне изграждането на своите фабрики, които трябва да започнат висококачествено производство на 3 nm възел през 2023 г. Изграждане на 3 nm производствените мощности трябва да започнат през 2020 г., когато TSMC ще постави основата на новото устройство. Очаква се 3 nm полупроводников възел да бъде третият опит на TSMC за литография на EUV, веднага след 7 nm + и 5 nm възли, които също са базирани на EUV технологията.
Source: DigiTimes