SK Hynix обявява своите продукти за памет HBM2E, 460 GB / s и 16GB на стек



SK Hynix Inc. announced today that it has developed HBM2E DRAM product with the industry's highest bandwidth. The new HBM2E boasts approximately 50% higher bandwidth and 100% additional capacity compared to the previous HBM2. SK Hynix's HBM2E supports over 460 GB (Gigabyte) per second bandwidth based on the 3.6 Gbps (gigabits-per-second) speed performance per pin with 1,024 data I/Os (Inputs/Outputs). Through utilization of the TSV (Through Silicon Via) technology, a maximum of eight 16-gigabit chips are vertically stacked, forming a single, dense package of 16 GB data capacity.

HBM2E на SK Hynix е оптимално решение за паметта за четвъртата индустриална ера, поддържаща висок клас GPU, суперкомпютри, машинно обучение и системи за изкуствен интелект, които изискват максимално ниво на производителност на паметта. За разлика от стоковите DRAM продукти, които приемат модулни форми на пакети и се монтират на системни платки, HBM чипът е свързан тясно с процесори като графични процесори и логически чипове, отдалечен само на няколко µm единици един от друг, което позволява още по-бърз трансфер на данни. 'SK Hynix has established its technological leadership since its world's first HBM release in 2013,' said Jun-Hyun Chun, Head of HBM Business Strategy. 'SK Hynix will begin mass production in 2020, when the HBM2E market is expected to open up, and continue to strengthen its leadership in the premium DRAM market.'