Samsung Electronics представя нова памет с висока честотна лента Flashbolt HBM2E



Samsung Electronics Co., Ltd., the world leader in advanced semiconductor technology, today announced its new High Bandwidth Memory (HBM2E) product at NVIDIA's GPU Technology Conference (GTC) to deliver the highest DRAM performance levels for use in next-generation supercomputers, graphics systems, and artificial intelligence (AI).

Новото решение, Flashbolt, е първото в индустрията HBM2E, което доставя скорост на предаване на 3,2 гигабита в секунда (Gbps) на пин, което е с 33 процента по-бързо от предишното поколение HBM2. Flashbolt има плътност 16Gb на матрица, удвоява капацитета на предишното поколение. С тези подобрения един пакет Samsung HBM2E ще предлага 410 гигабайта в секунда (GBps) честотна лента на данни и 16 GB памет. 'Flashbolt's industry-leading performance will enable enhanced solutions for next-generation data centers, artificial intelligence, machine learning, and graphics applications,' said Jinman Han, senior vice president of Memory Product Planning and Application Engineering Team at Samsung Electronics. 'We will continue to expand our premium DRAM offering, and improve our 'high-performance, high capacity, and low power' memory segment to meet market demand.'