Rambus Talks HBM3, DDR5 в среща с инвеститори



Rambus, a company that has veered around the line of being an innovative company and a patent troll, has shed some more light on what can be expected from HBM3 memory (when it's finally available). In an investor meeting, representatives from the company shared details regarding HBM3's improvements over HBM2. Details are still scarce, but at least we know Rambus' expectations for the technology: double the memory bandwidth per stack when compared to HBM2 (4000 MB/s), and a more complex design, which leaves behind the 2.5D design due to increased height of the HBM3 memory stacks. An interesting thing to note is that Rambus is counting on HBM3 to be produced on 7 nm technologies. Considering the overall semiconductor manufacturing calendar for the 7 nm process, this should place HBM3 production in 2019, at the earliest.

Очаква се HBM3 също да доведе до много по-ниска консумация на енергия в сравнение с HBM2, освен че увеличава плътността на паметта и честотната лента. Въпреки това, „сложните дизайнерски архитектури“ в слайдовете на Rambus трябва да дадат пауза на читателите. Производството на HBM2 имаше някои очевидни проблеми при достигане на нивата на търсене, като се предполага, че по-ниските добиви от очакваното са най-вероятният виновник. Като знаем за проблемите, които AMD има при успешното опаковане на паметта на HBM2 със силиконовия интерпозатор и собствените графични процесори, още по-сложното внедряване на паметта на HBM в HBM3 може да сигнализира за още проблеми в тази област - може би не само за AMD, но за всякакви други потребители на технологията. Ето, надяваме се, че неволите на AMD се дължат само на еднократни парчета от страна на партньорите им за опаковане и не създават проблеми за самото внедряване на HBM. Други подробности, които изплуват на срещата на инвеститорите в Rambus, се отнасят до паметта на DDR5. Rambus казва, че те също ще бъдат изградени в процеса на изработка на 7 nm, който се подсилва от твърденията на Micron, че новите спецификации на паметта ще бъдат готови за производство през 2020 г. При производството на DDR5 е необходимо по-голям обем от HBM3, има смисъл последният щяха да видят производството и продажбата на клиентите малко преди DDR5, за да тестват новите 7 nm процеси на производство в по-нисък обем, с по-голям марж продукт, осигурявайки добивите на DDR5 да бъдат в рамките на адекватни темпове.
Source: Computerbase